ON Semiconductor - BAS16HT1G

KEY Part #: K6458221

BAS16HT1G ราคา (USD) [3877339ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.02265
  • 3,000 pcs$0.02254
  • 6,000 pcs$0.01960
  • 15,000 pcs$0.01666

ส่วนจำนวน:
BAS16HT1G
ผู้ผลิต:
ON Semiconductor
คำอธิบายโดยละเอียด:
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 75V 200mA
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in ON Semiconductor BAS16HT1G electronic components. BAS16HT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS16HT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAS16HT1G คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : BAS16HT1G
ผู้ผลิต : ON Semiconductor
ลักษณะ : DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทไดโอด : Standard
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 100V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 200mA (DC)
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 1.25V @ 150mA
ความเร็ว : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : 6ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 1µA @ 100V
ความจุ @ Vr, F : 2pF @ 0V, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : SC-76, SOD-323
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : SOD-323
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -55°C ~ 150°C

คุณอาจสนใจด้วย
  • 1SS250(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High

  • SE20AFGHM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFDHM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 200 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFBHM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFB-M3/6A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 Volts ESD PROTECTION

  • SE20AFD-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 200 volts ESD PROTECTION 13in