Vishay Siliconix - SI7446BDP-T1-GE3

KEY Part #: K6406000

[1471ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    SI7446BDP-T1-GE3
    ผู้ผลิต:
    Vishay Siliconix
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล and ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์ ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Vishay Siliconix SI7446BDP-T1-GE3 electronic components. SI7446BDP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7446BDP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI7446BDP-T1-GE3 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : SI7446BDP-T1-GE3
    ผู้ผลิต : Vishay Siliconix
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
    ชุด : TrenchFET®
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 30V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 12A (Ta)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 7.5 mOhm @ 19A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 3V @ 250µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 33nC @ 5V
    Vgs (สูงสุด) : ±20V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 3076pF @ 15V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 1.9W (Ta)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PowerPAK® SO-8
    แพ็คเกจ / เคส : PowerPAK® SO-8