Microsemi Corporation - APT28F60B

KEY Part #: K6413329

[13137ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    APT28F60B
    ผู้ผลิต:
    Microsemi Corporation
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 600V 28A TO-247.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ and ไทริสเตอร์ - SCRs ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Microsemi Corporation APT28F60B electronic components. APT28F60B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT28F60B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APT28F60B คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : APT28F60B
    ผู้ผลิต : Microsemi Corporation
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 600V 28A TO-247
    ชุด : -
    สถานะส่วนหนึ่ง : Active
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 600V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 30A (Tc)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 250 mOhm @ 14A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5V @ 1mA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 140nC @ 10V
    Vgs (สูงสุด) : ±30V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 5575pF @ 25V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 520W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-247 [B]
    แพ็คเกจ / เคส : TO-247-3

    คุณอาจสนใจด้วย
    • IRF5802TR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

    • 2N7000RLRMG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

    • BTS282Z E3180A

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7.

    • 2SK3127(TE24L,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 30V 45A TO220SM.

    • FQD4P25TF

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK.

    • FQD4N25TF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 250V 3A DPAK.