ส่วนจำนวน :
BSC065N06LS5ATMA1
ผู้ผลิต :
Infineon Technologies
ลักษณะ :
MOSFET N-CHANNEL 60V 64A 8TDSON
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
60V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
64A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
6.5 mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
2.3V @ 20µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
13nC @ 4.5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
1800pF @ 30V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
46W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
PG-TDSON-8
แพ็คเกจ / เคส :
8-PowerTDFN