Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-FB190SA10

KEY Part #: K6397378

VS-FB190SA10 ราคา (USD) [3077ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$13.40790
  • 10 pcs$12.36594
  • 25 pcs$11.81026
  • 100 pcs$10.55981
  • 250 pcs$10.07348

ส่วนจำนวน:
VS-FB190SA10
ผู้ผลิต:
Vishay Semiconductor Diodes Division
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 100V 190A SOT227.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - TRIACs and ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-FB190SA10 electronic components. VS-FB190SA10 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-FB190SA10, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-FB190SA10 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : VS-FB190SA10
ผู้ผลิต : Vishay Semiconductor Diodes Division
ลักษณะ : MOSFET N-CH 100V 190A SOT227
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 100V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 190A
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 6.5 mOhm @ 180A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4.35V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 250nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 10700pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 568W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Chassis Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : SOT-227
แพ็คเกจ / เคส : SOT-227-4, miniBLOC

คุณอาจสนใจด้วย
  • FCD7N60TM-WS

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 7A DPAK.

  • FCD900N60Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252-3.

  • FCD380N60E

    ON Semiconductor

    MOSFET N CH 600V 10.2A DPAK.

  • FCD1300N80Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 4A TO252.

  • FCD3400N80Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 2A DPAK.

  • FCD260N65S3

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 260MOHM TO252.