ON Semiconductor - 2SJ652-RA11

KEY Part #: K6405795

[1542ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    2SJ652-RA11
    ผู้ผลิต:
    ON Semiconductor
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET P-CH 60V 28A TO-220ML.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้ and ไทริสเตอร์ - TRIACs ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in ON Semiconductor 2SJ652-RA11 electronic components. 2SJ652-RA11 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2SJ652-RA11, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    2SJ652-RA11 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : 2SJ652-RA11
    ผู้ผลิต : ON Semiconductor
    ลักษณะ : MOSFET P-CH 60V 28A TO-220ML
    ชุด : -
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : P-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 60V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 28A (Ta)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 38 mOhm @ 14A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : -
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 80nC @ 10V
    Vgs (สูงสุด) : ±20V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 4360pF @ 20V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : -
    อุณหภูมิในการทำงาน : 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-220ML
    แพ็คเกจ / เคส : TO-220-3 Full Pack

    คุณอาจสนใจด้วย