Infineon Technologies - IPD082N10N3GATMA1

KEY Part #: K6419627

IPD082N10N3GATMA1 ราคา (USD) [122049ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.30306
  • 2,500 pcs$0.30167

ส่วนจำนวน:
IPD082N10N3GATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน and ไดโอด - RF ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies IPD082N10N3GATMA1 electronic components. IPD082N10N3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD082N10N3GATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD082N10N3GATMA1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IPD082N10N3GATMA1
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
ชุด : OptiMOS™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 100V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 80A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 8.2 mOhm @ 73A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 3.5V @ 75µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 55nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 3980pF @ 50V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 125W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PG-TO252-3
แพ็คเกจ / เคส : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

คุณอาจสนใจด้วย