ON Semiconductor - FDD20AN06A0

KEY Part #: K6411255

[13854ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    FDD20AN06A0
    ผู้ผลิต:
    ON Semiconductor
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 60V 45A D-PAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in ON Semiconductor FDD20AN06A0 electronic components. FDD20AN06A0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD20AN06A0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDD20AN06A0 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : FDD20AN06A0
    ผู้ผลิต : ON Semiconductor
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 60V 45A D-PAK
    ชุด : PowerTrench®
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 60V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 8A (Ta), 45A (Tc)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 45A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 250µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 19nC @ 10V
    Vgs (สูงสุด) : ±20V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 950pF @ 25V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 90W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-252AA
    แพ็คเกจ / เคส : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    คุณอาจสนใจด้วย
    • ZVN2535ASTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 350V 0.09A TO92-3.

    • ZVN2535ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 350V 0.09A TO92-3.

    • ZVN2535ASTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 350V 0.09A TO92-3.

    • ZVN2120ASTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3.

    • ZVN2120ASTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3.

    • ZVN2120ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3.