Infineon Technologies - BSS123NH6433XTMA1

KEY Part #: K6421666

BSS123NH6433XTMA1 ราคา (USD) [1418925ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.02607
  • 10,000 pcs$0.01635

ส่วนจำนวน:
BSS123NH6433XTMA1
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ไดโอด - RF, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies BSS123NH6433XTMA1 electronic components. BSS123NH6433XTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSS123NH6433XTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSS123NH6433XTMA1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : BSS123NH6433XTMA1
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23
ชุด : OptiMOS™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 100V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 190mA (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 190mA, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 1.8V @ 13µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 0.9nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 20.9pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 500mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : SOT-23-3
แพ็คเกจ / เคส : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

คุณอาจสนใจด้วย