ผู้ผลิต :
Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ :
MOSFET N-CH 60V 70A TO220W
สถานะส่วนหนึ่ง :
Obsolete
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
60V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
70A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
6.4 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
2.3V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
87nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
5450pF @ 10V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
45W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
TO-220(W)