ส่วนจำนวน :
IPB020N10N5ATMA1
ผู้ผลิต :
Infineon Technologies
ลักษณะ :
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
100V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
120A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
3.8V @ 270µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
210nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
15600pF @ 50V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
375W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
D²PAK (TO-263AB)
แพ็คเกจ / เคส :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB