Vishay Semiconductor Diodes Division - SBLB10L25HE3/81

KEY Part #: K6446764

[1654ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    SBLB10L25HE3/81
    ผู้ผลิต:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    DIODE SCHOTTKY 25V 10A TO263AB.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF and ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division SBLB10L25HE3/81 electronic components. SBLB10L25HE3/81 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SBLB10L25HE3/81, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SBLB10L25HE3/81 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : SBLB10L25HE3/81
    ผู้ผลิต : Vishay Semiconductor Diodes Division
    ลักษณะ : DIODE SCHOTTKY 25V 10A TO263AB
    ชุด : -
    สถานะส่วนหนึ่ง : Discontinued at Digi-Key
    ประเภทไดโอด : Schottky
    แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 25V
    ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 10A
    แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 460mV @ 10A
    ความเร็ว : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : -
    ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 800µA @ 25V
    ความจุ @ Vr, F : -
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจ / เคส : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-263AB
    อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -65°C ~ 150°C

    คุณอาจสนใจด้วย
    • SRP600J-E3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 6A P600.

    • BYM07-400HE3/98

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.

    • BYM07-200HE3/83

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213.

    • BY229B-200-E3/45

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB.

    • SBLB1030HE3/81

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 30V 10A TO263AB.

    • SBLB10L25HE3/81

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 25V 10A TO263AB.