Bourns Inc. - CD1408-R11000

KEY Part #: K6455785

CD1408-R11000 ราคา (USD) [1169017ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.03339
  • 3,000 pcs$0.03322
  • 6,000 pcs$0.02990
  • 15,000 pcs$0.02658
  • 30,000 pcs$0.02492
  • 75,000 pcs$0.02215

ส่วนจำนวน:
CD1408-R11000
ผู้ผลิต:
Bourns Inc.
คำอธิบายโดยละเอียด:
DIODE GEN PURP 1KV 1A 1408. Rectifiers RECTIFIER DIODE SMD 1000VOLT
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Bourns Inc. CD1408-R11000 electronic components. CD1408-R11000 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CD1408-R11000, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CD1408-R11000 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : CD1408-R11000
ผู้ผลิต : Bourns Inc.
ลักษณะ : DIODE GEN PURP 1KV 1A 1408
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทไดโอด : Standard
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 1000V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 1A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 1V @ 1A
ความเร็ว : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : 3µs
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 1µA @ 1000V
ความจุ @ Vr, F : 12pF @ 4V, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : Chip, Concave Terminals
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 1408
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -65°C ~ 175°C

คุณอาจสนใจด้วย
  • BAS16-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 75V 300MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300mA 100V

  • BAT54E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

  • BAS16E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.25A

  • DB3X317K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 30V 1A MINI3.

  • CMDD6001 TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA

  • VS-5EWH06FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers Hyperfast 5A 600V 18ns