STMicroelectronics - STI24NM60N

KEY Part #: K6392854

STI24NM60N ราคา (USD) [19605ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$2.10214
  • 10 pcs$1.87870
  • 100 pcs$1.54038
  • 500 pcs$1.24731
  • 1,000 pcs$0.99800

ส่วนจำนวน:
STI24NM60N
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N CH 600V 17A I2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้ and ไทริสเตอร์ - SCRs ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in STMicroelectronics STI24NM60N electronic components. STI24NM60N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STI24NM60N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STI24NM60N คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : STI24NM60N
ผู้ผลิต : STMicroelectronics
ลักษณะ : MOSFET N CH 600V 17A I2PAK
ชุด : MDmesh™ II
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 600V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 17A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 46nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±30V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1400pF @ 50V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 125W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : I2PAK
แพ็คเกจ / เคส : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

คุณอาจสนใจด้วย