Infineon Technologies - AUIRFU540Z

KEY Part #: K6419362

AUIRFU540Z ราคา (USD) [107194ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.34505
  • 3,000 pcs$0.31657

ส่วนจำนวน:
AUIRFU540Z
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N CH 100V 35A IPAK.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ไดโอด - RF, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน and ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies AUIRFU540Z electronic components. AUIRFU540Z can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AUIRFU540Z, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AUIRFU540Z คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : AUIRFU540Z
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : MOSFET N CH 100V 35A IPAK
ชุด : HEXFET®
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 100V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 35A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 28.5 mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 50µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 59nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1690pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 91W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : I-PAK
แพ็คเกจ / เคส : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

คุณอาจสนใจด้วย