IXYS - IXFN360N15T2

KEY Part #: K6399966

IXFN360N15T2 ราคา (USD) [2523ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$18.02700
  • 10 pcs$16.67648
  • 25 pcs$15.32411
  • 100 pcs$14.24244
  • 250 pcs$13.07058

ส่วนจำนวน:
IXFN360N15T2
ผู้ผลิต:
IXYS
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 150V 310A SOT227.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in IXYS IXFN360N15T2 electronic components. IXFN360N15T2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN360N15T2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN360N15T2 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IXFN360N15T2
ผู้ผลิต : IXYS
ลักษณะ : MOSFET N-CH 150V 310A SOT227
ชุด : GigaMOS™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 150V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 310A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5V @ 8mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 715nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 47500pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 1070W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Chassis Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : SOT-227B
แพ็คเกจ / เคส : SOT-227-4, miniBLOC

คุณอาจสนใจด้วย
  • TN2106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3.

  • VN0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3.

  • DN2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3.

  • VP2206N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3.

  • VN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • AUIRFR5410

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 100V 13A DPAK.