ส่วนจำนวน :
RN1119MFV,L3F
ผู้ผลิต :
Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ :
X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
ประเภททรานซิสเตอร์ :
NPN - Pre-Biased
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
100mA
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
50V
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1) :
1 kOhms
ตัวต้านทาน - ฐานอีซีแอล (R2) :
-
DC กระแสที่ได้รับ (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce :
120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (สูงสุด) @ Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 5mA
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) :
100nA (ICBO)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
VESM