ON Semiconductor - NTR1P02T1G

KEY Part #: K6418548

NTR1P02T1G ราคา (USD) [1002588ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.03689
  • 3,000 pcs$0.03563

ส่วนจำนวน:
NTR1P02T1G
ผู้ผลิต:
ON Semiconductor
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์ and ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in ON Semiconductor NTR1P02T1G electronic components. NTR1P02T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTR1P02T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTR1P02T1G คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : NTR1P02T1G
ผู้ผลิต : ON Semiconductor
ลักษณะ : MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : P-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 20V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 1A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.3V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 2.5nC @ 5V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 165pF @ 5V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 400mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : SOT-23-3 (TO-236)
แพ็คเกจ / เคส : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3