ON Semiconductor - FDD10AN06A0-F085

KEY Part #: K6403171

FDD10AN06A0-F085 ราคา (USD) [125860ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.29388

ส่วนจำนวน:
FDD10AN06A0-F085
ผู้ผลิต:
ON Semiconductor
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 60V 11A D-PAK.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที and ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in ON Semiconductor FDD10AN06A0-F085 electronic components. FDD10AN06A0-F085 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD10AN06A0-F085, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDD10AN06A0-F085 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : FDD10AN06A0-F085
ผู้ผลิต : ON Semiconductor
ลักษณะ : MOSFET N-CH 60V 11A D-PAK
ชุด : Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 60V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 11A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 10.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 37nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1840pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 135W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-252AA
แพ็คเกจ / เคส : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

คุณอาจสนใจด้วย