ส่วนจำนวน :
FGA15N120ANDTU
ผู้ผลิต :
ON Semiconductor
ลักษณะ :
IGBT 1200V 24A 200W TO3P
สถานะส่วนหนึ่ง :
Obsolete
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
1200V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
24A
ปัจจุบัน - Collector Pulsed (Icm) :
45A
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic :
3.2V @ 15V, 15A
การสลับพลังงาน :
3.27mJ (on), 600µJ (off)
Td (เปิด / ปิด) @ 25 ° c :
90ns/310ns
ทดสอบสภาพ :
600V, 15A, 20 Ohm, 15V
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) :
330ns
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Through Hole
แพ็คเกจ / เคส :
TO-3P-3, SC-65-3
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
TO-3PN