ผู้ผลิต :
Nexperia USA Inc.
ลักษณะ :
MOSFET N-CH 200V 8.8A 8HVSON
สถานะส่วนหนึ่ง :
Obsolete
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
200V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
8.8A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
294 mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
4V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
13.3nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
657pF @ 30V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
50W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
DFN3333-8
แพ็คเกจ / เคส :
8-VDFN Exposed Pad