Vishay Semiconductor Diodes Division - VSSB410S-E3/52T

KEY Part #: K6454909

VSSB410S-E3/52T ราคา (USD) [384861ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.09611
  • 750 pcs$0.09136
  • 1,500 pcs$0.07060
  • 2,250 pcs$0.06437
  • 5,250 pcs$0.06021
  • 18,750 pcs$0.05606

ส่วนจำนวน:
VSSB410S-E3/52T
ผู้ผลิต:
Vishay Semiconductor Diodes Division
คำอธิบายโดยละเอียด:
DIODE SCHOTTKY 100V 1.9A DO214AA. Schottky Diodes & Rectifiers 4A 100volts TMBS
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF and ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VSSB410S-E3/52T electronic components. VSSB410S-E3/52T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VSSB410S-E3/52T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VSSB410S-E3/52T คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : VSSB410S-E3/52T
ผู้ผลิต : Vishay Semiconductor Diodes Division
ลักษณะ : DIODE SCHOTTKY 100V 1.9A DO214AA
ชุด : TMBS®
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทไดโอด : Schottky
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 100V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 1.9A (DC)
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 770mV @ 4A
ความเร็ว : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : -
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 250µA @ 100V
ความจุ @ Vr, F : 230pF @ 4V, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : DO-214AA, SMB
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : DO-214AA (SMB)
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -40°C ~ 150°C

คุณอาจสนใจด้วย
  • CSD01060E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 1A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE

  • BAS19-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 120V

  • BAS116E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • C3D10060G

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO263-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 10A

  • VS-50WQ06FNHM3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A TO252AA. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • VS-30WQ06FNHM3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 3.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3