IDT, Integrated Device Technology Inc - 71V416L15PHGI

KEY Part #: K939402

71V416L15PHGI ราคา (USD) [24994ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$1.83331
  • 10 pcs$1.66320
  • 25 pcs$1.62689
  • 50 pcs$1.61790
  • 100 pcs$1.45096
  • 250 pcs$1.44553
  • 500 pcs$1.39230
  • 1,000 pcs$1.32372

ส่วนจำนวน:
71V416L15PHGI
ผู้ผลิต:
IDT, Integrated Device Technology Inc
คำอธิบายโดยละเอียด:
IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II. SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: หน่วยความจำ - Proms การกำหนดค่าสำหรับ FPGA, อินเตอร์เฟส - ตัวควบคุม, อินเตอร์เฟส - ไดรเวอร์, ตัวรับสัญญาณ, ตัวรับส่งสัญ, PMIC - หัวหน้างาน, นาฬิกา / กำหนดเวลา - สายหน่วงเวลา, Linear - Amplifiers - แอมป์และโมดูลวิดีโอ, ส่วนต่อประสาน - CODEC and อินเทอร์เฟซ - ตัวเข้ารหัสตัวถอดรหัสตัวแปลง ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416L15PHGI electronic components. 71V416L15PHGI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 71V416L15PHGI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

71V416L15PHGI คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : 71V416L15PHGI
ผู้ผลิต : IDT, Integrated Device Technology Inc
ลักษณะ : IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทหน่วยความจำ : Volatile
ฟอร์แมตหน่วยความจำ : SRAM
เทคโนโลยี : SRAM - Asynchronous
ขนาดหน่วยความจำ : 4Mb (256K x 16)
ความถี่สัญญาณนาฬิกา : -
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า : 15ns
เวลาเข้าถึง : 15ns
อินเตอร์เฟสหน่วยความจำ : Parallel
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน : 3V ~ 3.6V
อุณหภูมิในการทำงาน : -40°C ~ 85°C (TA)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 44-TSOP II
คุณอาจสนใจด้วย
  • CAV25M01YE-GT3

    ON Semiconductor

    IC EEPROM 1M SPI 10MHZ 8TSSOP. EEPROM 1 Mb SPI Serial CMOS EEPROM

  • W94AD2KBJX5E

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz

  • W9864G2JB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp

  • W632GG8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB15I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.