IXYS - IXFX25N90

KEY Part #: K6407732

IXFX25N90 ราคา (USD) [5783ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$8.65783
  • 30 pcs$8.61475

ส่วนจำนวน:
IXFX25N90
ผู้ผลิต:
IXYS
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 900V 25A PLUS247.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์ and ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in IXYS IXFX25N90 electronic components. IXFX25N90 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFX25N90, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFX25N90 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IXFX25N90
ผู้ผลิต : IXYS
ลักษณะ : MOSFET N-CH 900V 25A PLUS247
ชุด : HiPerFET™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 900V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 25A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 330 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5V @ 8mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 240nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 10800pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 560W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PLUS247™-3
แพ็คเกจ / เคส : TO-247-3

คุณอาจสนใจด้วย
  • TPC6104(TE85L,F,M)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A.

  • TPC6107(TE85L,F,M)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A.

  • TPC6006-H(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A.

  • FDD6782A

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 25V 20A DPAK.

  • FDD6796A

    ON Semiconductor

    MOSFET NCH 25V 20A DPAK.

  • FDD6778A

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 25V 12A DPAK.