Vishay Siliconix - SI8805EDB-T2-E1

KEY Part #: K6402522

SI8805EDB-T2-E1 ราคา (USD) [2675ชิ้นสต็อก]

  • 3,000 pcs$0.06946

ส่วนจำนวน:
SI8805EDB-T2-E1
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET P-CH 8V MICROFOOT.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์ and ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Siliconix SI8805EDB-T2-E1 electronic components. SI8805EDB-T2-E1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI8805EDB-T2-E1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI8805EDB-T2-E1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : SI8805EDB-T2-E1
ผู้ผลิต : Vishay Siliconix
ลักษณะ : MOSFET P-CH 8V MICROFOOT
ชุด : TrenchFET®
สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
ประเภท FET : P-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 8V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : -
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 68 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 700mV @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 10nC @ 4.5V
Vgs (สูงสุด) : ±5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : -
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 500mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 4-Microfoot
แพ็คเกจ / เคส : 4-XFBGA

คุณอาจสนใจด้วย
  • CPH6354-TL-H

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 4A CPH6.

  • TN0604N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3.

  • GP2M005A060CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK.

  • GP2M005A050CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK.

  • GP1M016A025CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 250V 16A DPAK.

  • GP1M008A050CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 500V 8A DPAK.