ผู้ผลิต :
Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ :
MOSFET N-CH 650V 5.2A TO-220SIS
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
650V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
5.2A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
1.2 Ohm @ 2.6A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
3.5V @ 170µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
10.5nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
380pF @ 300V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
30W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
TO-220SIS
แพ็คเกจ / เคส :
TO-220-3 Full Pack