Winbond Electronics - W949D6DBHX5E TR

KEY Part #: K941549

คำอธิบายโดยละเอียด:: IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA. DRAM 512M mDDR, x16, 200MHz T&R

หมวดหมู่ครอบครัว:: KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ตรรกะ - นักแปลระดับจำแลง, แบบฝัง - PLD (อุปกรณ์ลอจิกที่ตั้งโปรแกรมได้), PMIC - หรือคอนโทรลเลอร์, ไดโอดในอุดมคติ, อินเตอร์เฟส - ไดรเวอร์, ตัวรับสัญญาณ, ตัวรับส่งสัญ, อินเตอร์เฟส - ตัวขยาย I / O, อินเตอร์เฟซ - บันทึกเสียงและเล่น, Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP แอมป์, แ and PMIC - การจัดการพลังงาน - เฉพาะทาง ...

ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:: We specialize in Winbond Electronics W949D6DBHX5E TR electronic components. W949D6DBHX5E TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W949D6DBHX5E TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

ส่วนจำนวน : W949D6DBHX5E TR

ผู้ผลิต : Winbond Electronics

ลักษณะ : IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

ชุด : -

สถานะส่วนหนึ่ง : Active

ประเภทหน่วยความจำ : Volatile

ฟอร์แมตหน่วยความจำ : DRAM

เทคโนโลยี : SDRAM - Mobile LPDDR

ขนาดหน่วยความจำ : 512Mb (32M x 16)

ความถี่สัญญาณนาฬิกา : 200MHz

เขียนรอบเวลา - Word, หน้า : 15ns

เวลาเข้าถึง : 5ns

อินเตอร์เฟสหน่วยความจำ : Parallel

แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน : 1.7V ~ 1.95V

อุณหภูมิในการทำงาน : -25°C ~ 85°C (TC)

ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount

แพ็คเกจ / เคส : 60-TFBGA

แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 60-VFBGA (8x9)

คุณอาจสนใจด้วย

SST26VF032-80-5I-QAE

Microchip Technology

IC FLASH 32M SPI 80MHZ 8WSON.
N01S830BAT22IT

ON Semiconductor

IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 3V, BATT BU FUNCT
N01S830HAT22IT

ON Semiconductor

IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB 3.V HOLD FNC, TSSOP
N01S818HAT22IT

ON Semiconductor

IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 1.8V, HOLD FUNCT
IS25LQ032B-JNLE

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC. NOR Flash 32Mb QSPI, 8-pin SOP 150Mil, RoHS
SST26VF064B-104V/SM

Microchip Technology

IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIJ. NOR Flash 64Mbit SPI/SQI Flash 2.3V-3.6V, 105C