ส่วนจำนวน :
SI7112DN-T1-E3
ผู้ผลิต :
Vishay Siliconix
ลักษณะ :
MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
11.3A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
7.5 mOhm @ 17.8A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
1.5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
27nC @ 4.5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
2610pF @ 15V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
1.5W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-50°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
PowerPAK® 1212-8
แพ็คเกจ / เคส :
PowerPAK® 1212-8