ผู้ผลิต :
ON Semiconductor
ลักษณะ :
MOSFET N-CH 20V 4.2A 6-TSOP
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
20V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
4.23A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
24 mOhm @ 5.6A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
1.4V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
20.3nC @ 4.5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
935pF @ 16V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
600mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
6-TSOP