ผู้ผลิต :
Nexperia USA Inc.
ลักษณะ :
MOSFET N-CH 30V SOT883
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
590mA (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
670 mOhm @ 590mA, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
950mV @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
1.1nC @ 4.5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
30.3pF @ 15V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
310mW (Ta), 1.67W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
DFN1006B-3