ส่วนจำนวน :
SI4204DY-T1-GE3
ผู้ผลิต :
Vishay Siliconix
ลักษณะ :
MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8-SOIC
ประเภท FET :
2 N-Channel (Dual)
คุณสมบัติของ FET :
Standard
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
20V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
19.8A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
4.6 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
2.4V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
45nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
2110pF @ 10V
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
8-SO