ส่วนจำนวน :
TC58CVG0S3HQAIE
ผู้ผลิต :
Toshiba Memory America, Inc.
ลักษณะ :
IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP
ประเภทหน่วยความจำ :
Non-Volatile
ฟอร์แมตหน่วยความจำ :
FLASH
เทคโนโลยี :
FLASH - NAND (SLC)
ขนาดหน่วยความจำ :
1Gb (128M x 8)
ความถี่สัญญาณนาฬิกา :
104MHz
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :
-
อินเตอร์เฟสหน่วยความจำ :
SPI - Quad I/O
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน :
2.7V ~ 3.6V
อุณหภูมิในการทำงาน :
-40°C ~ 85°C (TA)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
16-SOP