ส่วนจำนวน :
SI3475DV-T1-E3
ผู้ผลิต :
Vishay Siliconix
ลักษณะ :
MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
สถานะส่วนหนึ่ง :
Obsolete
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
200V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
950mA (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
1.61 Ohm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
4V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
18nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
500pF @ 50V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
2W (Ta), 3.2W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
6-TSOP
แพ็คเกจ / เคส :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6