Vishay Siliconix - SI3475DV-T1-E3

KEY Part #: K6408670

[8573ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    SI3475DV-T1-E3
    ผู้ผลิต:
    Vishay Siliconix
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - TRIACs and ไทริสเตอร์ - SCRs ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Vishay Siliconix SI3475DV-T1-E3 electronic components. SI3475DV-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI3475DV-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI3475DV-T1-E3 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : SI3475DV-T1-E3
    ผู้ผลิต : Vishay Siliconix
    ลักษณะ : MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
    ชุด : TrenchFET®
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : P-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 200V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 950mA (Tc)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 1.61 Ohm @ 900mA, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 250µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 18nC @ 10V
    Vgs (สูงสุด) : ±20V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 500pF @ 50V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 2W (Ta), 3.2W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 6-TSOP
    แพ็คเกจ / เคส : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

    คุณอาจสนใจด้วย