ส่วนจำนวน :
SI4501BDY-T1-GE3
ผู้ผลิต :
Vishay Siliconix
ลักษณะ :
MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC
ประเภท FET :
N and P-Channel, Common Drain
คุณสมบัติของ FET :
Logic Level Gate
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
30V, 8V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
12A, 8A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
17 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
2V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
25nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
805pF @ 15V
พลังงาน - สูงสุด :
4.5W, 3.1W
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
8-SOIC