Infineon Technologies - IRF6619TR1PBF

KEY Part #: K6402000

IRF6619TR1PBF ราคา (USD) [55206ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.71180
  • 1,000 pcs$0.70826

ส่วนจำนวน:
IRF6619TR1PBF
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ and ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies IRF6619TR1PBF electronic components. IRF6619TR1PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF6619TR1PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF6619TR1PBF คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IRF6619TR1PBF
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
ชุด : HEXFET®
สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 20V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 30A (Ta), 150A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 2.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.45V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 57nC @ 4.5V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 5040pF @ 10V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 2.8W (Ta), 89W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : DIRECTFET™ MX
แพ็คเกจ / เคส : DirectFET™ Isometric MX

คุณอาจสนใจด้วย
  • VN0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 90V 0.35A TO92-3.

  • ZVN3310ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.