หากตำแหน่งของคุณไม่อยู่ในรายการโปรดเลือกหนึ่งในรายการต่อไปนี้:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

หากตำแหน่งของคุณไม่อยู่ในรายการโปรดเลือกหนึ่งในรายการต่อไปนี้:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. บ้าน
  2. ผลิตภัณฑ์
  3. DRAM
  4. LPDDR4
  5. K4F6E3D4HB-MHCJ

Samsung Semiconductor - K4F6E3D4HB-MHCJ

KEY Part #: K7359765

[21953ชิ้นสต็อก]

    ส่วนจำนวน:
    K4F6E3D4HB-MHCJ
    ผู้ผลิต:
    Samsung Semiconductor
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    16 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: LPDDR4X, GDDR5, LPDDR3, LPDDR4, SLC Nand, HBM Flarebolt, DDR3 and MODULE ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4F6E3D4HB-MHCJ electronic components. K4F6E3D4HB-MHCJ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4F6E3D4HB-MHCJ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4F6E3D4HB-MHCJ คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : K4F6E3D4HB-MHCJ
    ผู้ผลิต : Samsung Semiconductor
    ลักษณะ : 16 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production
    ชุด : DDR3
    ความหนาแน่น : 16 Gb
    องค์กร : x32
    ความเร็ว : 3733 Mbps
    แรงดันไฟฟ้า : 1.8 / 1.1 / 1.1 V
    ชั่วคราว : -40 ~ 105 °C
    บรรจุภัณฑ์ : 200FBGA
    สถานะสินค้า : Mass Production

    ข่าวล่าสุด

    Unlocking the Power of Cloud Computing
    [Video] 5G memory solutions : 5G. All in the Memory.
    Mission Peak Reference Server System for NGSFF SSD
    Samsung Electronics Introduces New High Bandwidth Memory Technology Tailored to Data Centers, Graphic Applications, and AI
    How Will 5G Impact on Memory?
    Mass Production of Fifth-Generation V-NAND has Started
    Evolving Mobile Solutions: Samsung at MWC 2018
    Samsung’s Newest ISOCELL Image Sensor Enables Mobile Devices to ‘Slow Down’ Time
    Samsung Now Mass Producing Industry’s Most Advanced 4Gb DDR3, Using 20 Nanometer Process Technology
    Samsung Announces Production of Industry’s First 2GB LPDDR3 Mobile Memory, Using 30nm-class Technology
    The future of NAND technology
    [Video] The Future of Autonomous Driving: Samsung’s Memory Component Solutions
    คุณอาจสนใจด้วย
    • M392A2K43BB0-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 16 GB 2R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 18 EOL.

    • M392A2K43BB0-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 16 GB 2R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 18 EOL.

    • M392A4K40BM0-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 32 GB 2R x 4 2133 Mbps 1.2 V 288 (DDP4G x 4) x 18 EOL.

    • M392A4K40BM0-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 32 GB 2R x 4 2400 Mbps 1.2 V 288 (DDP4G x 4) x 18 EOL.

    • M378A1K43BB1-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    อะไหล่ร้อน