ผู้ผลิต :
GeneSiC Semiconductor
ลักษณะ :
DIODE GEN PURP 200V 40A DO5
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) :
200V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) :
40A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า :
1V @ 40A
ความเร็ว :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) :
500ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr :
25µA @ 100V
ประเภทการติดตั้ง :
Chassis, Stud Mount
แพ็คเกจ / เคส :
DO-203AB, DO-5, Stud
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
DO-5
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก :
-40°C ~ 125°C