GeneSiC Semiconductor - 1N8033-GA

KEY Part #: K6446536

หมวดหมู่ครอบครัว:: KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ไทริสเตอร์ - SCRs, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์ and ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้ ...

ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:: We specialize in GeneSiC Semiconductor 1N8033-GA electronic components. 1N8033-GA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N8033-GA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

ส่วนจำนวน : 1N8033-GA

ผู้ผลิต : GeneSiC Semiconductor

ลักษณะ : DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276

ชุด : -

สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete

ประเภทไดโอด : Silicon Carbide Schottky

แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 650V

ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 4.3A (DC)

แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 1.65V @ 5A

ความเร็ว : No Recovery Time > 500mA (Io)

ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : 0ns

ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 5µA @ 650V

ความจุ @ Vr, F : 274pF @ 1V, 1MHz

ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount

แพ็คเกจ / เคส : TO-276AA

แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-276

อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -55°C ~ 250°C

คุณอาจสนใจด้วย

MMBD4148-D87Z

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23.
BAT54-D87Z

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.
IDB18E120ATMA1

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3.
VS-MBRD340PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 3A DPAK.
VS-50WQ03FNTRLPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 30V 5.5A DPAK.
VS-50WQ03FNPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 30V 5.5A DPAK.