Infineon Technologies - BSM50GD120DN2E3226BOSA1

KEY Part #: K6534429

BSM50GD120DN2E3226BOSA1 ราคา (USD) [695ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$66.82368

ส่วนจำนวน:
BSM50GD120DN2E3226BOSA1
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้ and ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors) ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies BSM50GD120DN2E3226BOSA1 electronic components. BSM50GD120DN2E3226BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSM50GD120DN2E3226BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSM50GD120DN2E3226BOSA1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : BSM50GD120DN2E3226BOSA1
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Not For New Designs
ประเภท IGBT : -
องค์ประกอบ : Three Phase Inverter
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) : 1200V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) : 50A
พลังงาน - สูงสุด : 350W
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic : 3V @ 15V, 50A
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) : 1mA
อินพุตความจุ (Cies) @ Vce : 3.3nF @ 25V
อินพุต : Standard
เทอร์มิสเตอร์ NTC : No
อุณหภูมิในการทำงาน : 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Chassis Mount
แพ็คเกจ / เคส : Module
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : Module

คุณอาจสนใจด้วย
  • GA400TD25S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT FAST 250V 400A INT-A-PAK.

  • CPV364M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 15A IMS-2.

  • CPV363M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2.

  • GA200SA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT UFAST 600V 100A SOT227.

  • GA200SA60S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT STD 600V 100A SOT227.

  • STGE50NB60HD

    STMicroelectronics

    IGBT N-CHAN 600V 50A ISOTOP.