Microsemi Corporation - JAN1N6629US

KEY Part #: K6449553

JAN1N6629US ราคา (USD) [4373ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$9.95367
  • 100 pcs$9.90415

ส่วนจำนวน:
JAN1N6629US
ผู้ผลิต:
Microsemi Corporation
คำอธิบายโดยละเอียด:
DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B. Rectifiers Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ไทริสเตอร์ - SCRs, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว and ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N6629US electronic components. JAN1N6629US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N6629US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N6629US คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : JAN1N6629US
ผู้ผลิต : Microsemi Corporation
ลักษณะ : DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B
ชุด : Military, MIL-PRF-19500/590
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทไดโอด : Standard
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 880V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 1.4A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 1.4V @ 1.4A
ความเร็ว : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : 50ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 2µA @ 880V
ความจุ @ Vr, F : 40pF @ 10V, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : E-MELF
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : D-5B
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -65°C ~ 150°C

คุณอาจสนใจด้วย
  • C4D08120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 8A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 7.5A

  • BAT 64 B5003

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.

  • BAS 70 B5003

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3.

  • BAT 54 B5003

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

  • BAS 40 B5003

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.

  • BAS 16 B5003

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3.