Infineon Technologies - F4100R06KL4BOSA1

KEY Part #: K6534482

F4100R06KL4BOSA1 ราคา (USD) [847ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$54.82177

ส่วนจำนวน:
F4100R06KL4BOSA1
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOD IGBT LOW PWR ECONO2-6.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด and ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies F4100R06KL4BOSA1 electronic components. F4100R06KL4BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for F4100R06KL4BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

F4100R06KL4BOSA1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : F4100R06KL4BOSA1
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : MOD IGBT LOW PWR ECONO2-6
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Not For New Designs
ประเภท IGBT : -
องค์ประกอบ : Half Bridge
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) : 600V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) : 130A
พลังงาน - สูงสุด : 430W
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic : 2.55V @ 15V, 100A
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) : 5mA
อินพุตความจุ (Cies) @ Vce : 4.3nF @ 25V
อินพุต : Standard
เทอร์มิสเตอร์ NTC : Yes
อุณหภูมิในการทำงาน : -40°C ~ 125°C
ประเภทการติดตั้ง : Chassis Mount
แพ็คเกจ / เคส : Module
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : Module

คุณอาจสนใจด้วย
  • GA400TD25S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT FAST 250V 400A INT-A-PAK.

  • CPV364M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 15A IMS-2.

  • CPV363M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2.

  • GA200SA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT UFAST 600V 100A SOT227.

  • GA200SA60S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT STD 600V 100A SOT227.

  • A2P75S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 75A ACEPACK2.