NXP USA Inc. - PMN34UN,135

KEY Part #: K6415231

[12481ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    PMN34UN,135
    ผู้ผลิต:
    NXP USA Inc.
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 30V 4.9A 6TSOP.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in NXP USA Inc. PMN34UN,135 electronic components. PMN34UN,135 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMN34UN,135, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PMN34UN,135 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : PMN34UN,135
    ผู้ผลิต : NXP USA Inc.
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 30V 4.9A 6TSOP
    ชุด : TrenchMOS™
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 30V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 4.9A (Tc)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 46 mOhm @ 2A, 4.5V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 700mV @ 1mA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 9.9nC @ 4.5V
    Vgs (สูงสุด) : ±8V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 790pF @ 25V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 1.75W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 6-TSOP
    แพ็คเกจ / เคส : SC-74, SOT-457