Taiwan Semiconductor Corporation - BA157G R0G

KEY Part #: K6429230

BA157G R0G ราคา (USD) [2272695ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.01627

ส่วนจำนวน:
BA157G R0G
ผู้ผลิต:
Taiwan Semiconductor Corporation
คำอธิบายโดยละเอียด:
DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL. Rectifiers 1A,400V,150NS,F. RECOV. PLASTICRECTIFIER
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ไทริสเตอร์ - SCRs, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์ and ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation BA157G R0G electronic components. BA157G R0G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BA157G R0G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BA157G R0G คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : BA157G R0G
ผู้ผลิต : Taiwan Semiconductor Corporation
ลักษณะ : DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทไดโอด : Standard
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 400V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 1A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 1.2V @ 1A
ความเร็ว : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : 150ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 5µA @ 400V
ความจุ @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจ / เคส : DO-204AL, DO-41, Axial
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : DO-204AL (DO-41)
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -55°C ~ 150°C

คุณอาจสนใจด้วย
  • DB3X501K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 50V 200MA MINI3.

  • DB3X207K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE GEN PURP 20V 1A MINI3.

  • DA3X108K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE GEN PURP 300V 100MA MINI3.

  • MBR1090HC0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 90V 10A TO220AC.

  • MBR1045 C0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 45V 10A TO220AC.

  • MBR1035HC0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 35V 10A TO220AC.