Micron Technology Inc. - MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR

KEY Part #: K938191

MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR ราคา (USD) [19516ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$2.34790

ส่วนจำนวน:
MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR
ผู้ผลิต:
Micron Technology Inc.
คำอธิบายโดยละเอียด:
IC FLASH 2G PARALLEL FBGA. NAND Flash SLC 2G 128MX16 FBGA
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: อินเตอร์เฟส - โมเด็ม - ไอซีและโมดูล, ฝังตัว - ไมโครโปรเซสเซอร์, PMIC - การจัดการพลังงาน - เฉพาะทาง, PMIC - กฎระเบียบ / การจัดการปัจจุบัน, เอ็มเบ็ดเด็ด - ไมโครคอนโทรลเลอร์, ไมโครโปรเซสเซอร์, ชิป IC, ตรรกะ - นักแปลระดับจำแลง and PMIC - ตัวแปลง V / F และ F / V ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Micron Technology Inc. MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR electronic components. MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR
ผู้ผลิต : Micron Technology Inc.
ลักษณะ : IC FLASH 2G PARALLEL FBGA
ชุด : Automotive, AEC-Q100
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทหน่วยความจำ : Non-Volatile
ฟอร์แมตหน่วยความจำ : FLASH
เทคโนโลยี : FLASH - NAND
ขนาดหน่วยความจำ : 2Gb (128M x 16)
ความถี่สัญญาณนาฬิกา : -
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า : -
เวลาเข้าถึง : -
อินเตอร์เฟสหน่วยความจำ : Parallel
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน : 1.7V ~ 1.95V
อุณหภูมิในการทำงาน : -40°C ~ 105°C (TA)
ประเภทการติดตั้ง : -
แพ็คเกจ / เคส : -
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : -

คุณอาจสนใจด้วย
  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • W979H2KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA. DRAM 512Mb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)