ผู้ผลิต :
ON Semiconductor
ลักษณะ :
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2L
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) :
600V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) :
8A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า :
2.6V @ 8A
ความเร็ว :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) :
30ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr :
100µA @ 600V
ประเภทการติดตั้ง :
Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
TO-220-2L
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก :
-65°C ~ 150°C