ผู้ผลิต :
IDT, Integrated Device Technology Inc
ลักษณะ :
IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA
ประเภทหน่วยความจำ :
Volatile
ฟอร์แมตหน่วยความจำ :
SRAM
เทคโนโลยี :
SRAM - Dual Port, Synchronous
ขนาดหน่วยความจำ :
1.125Mb (32K x 36)
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :
-
อินเตอร์เฟสหน่วยความจำ :
Parallel
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน :
3.15V ~ 3.45V
อุณหภูมิในการทำงาน :
0°C ~ 70°C (TA)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
256-CABGA (17x17)