BAV100-GS18 ราคา (USD) [3225988ชิ้นสต็อก]
- 1 pcs$0.01147
- 10,000 pcs$0.01080
- ส่วนจำนวน:
- BAV100-GS18
- ผู้ผลิต:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- คำอธิบายโดยละเอียด:
- DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1.0 Amp 60V 500mW
- Manufacturer's standard lead time:
- มีสินค้า
- อายุการเก็บรักษา:
- หนึ่งปี
- ชิปจาก:
- ฮ่องกง
- เป็นไปตามมาตรฐาน:
- วิธีการชำระเงิน:
-
- วิธีการจัดส่ง:
- หมวดหมู่ครอบครัว:
- KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์ ...
- ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAV100-GS18 electronic components. BAV100-GS18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAV100-GS18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAV100-GS18 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์
ส่วนจำนวน :
BAV100-GS18
ผู้ผลิต :
Vishay Semiconductor Diodes Division
ลักษณะ :
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80
ชุด :
Automotive, AEC-Q101
สถานะส่วนหนึ่ง :
Active
ประเภทไดโอด :
Standard
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) :
50V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) :
250mA (DC)
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า :
1V @ 100mA
ความเร็ว :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) :
50ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr :
100nA @ 50V
ความจุ @ Vr, F :
1.5pF @ 0V, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
SOD-80 MiniMELF
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก :
175°C (Max)
ข่าวล่าสุด
คุณอาจสนใจด้วย
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
อะไหล่ร้อน
- IDT06S60CHKSA1
- GP10A-5016M3/54
- 1N4006GPE-M3/73
- D740N36TXPSA1
- UF4005 BK
- JANS1N6677UR-1
- BA157GP-M3/54
- GP02-40-M3/73
- 1N4004GPE-E3/93
- RU 4DS
- VS-MBRD330TRLPBF
- SK310B/TR13
- SB10-05A3-BT
- DLA11C-TR-E
- GPA804-BP
- 1N5401-AP
- SS32HE3/57T
- SS25HE3/52T
- SS320HE-TP
- RJU6053WDPP-M0#T2
- S3GHE3/57T
- RS3BHE3/9AT
- RGP5020-E3/54
- GPP15M-E3/54
- GI917-E3/54
- FGP30D-E3/73
- MBRD835L
- MR856
- MBRS3201T3
- SIDC53D120H6X1SA3
- VS-MUR1520PBF
- 80EPS08
- S3AB-13
- FR1J-LTP
- D255K06BXPSA1
- STPSC5H12D
- RGF1D-E3/67A
- RB068LAM150TR
- RF01VM2STE-17
- LS103A-GS18