Toshiba Semiconductor and Storage - TK160F10N1L,LQ

KEY Part #: K6418601

TK160F10N1L,LQ ราคา (USD) [69651ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.56138

ส่วนจำนวน:
TK160F10N1L,LQ
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor and Storage
คำอธิบายโดยละเอียด:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF and ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK160F10N1L,LQ electronic components. TK160F10N1L,LQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK160F10N1L,LQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK160F10N1L,LQ คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : TK160F10N1L,LQ
ผู้ผลิต : Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ : X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
ชุด : U-MOSVIII-H
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 100V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 160A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 2.4 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 3.5V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 122nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 10100pF @ 10V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 375W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : 175°C
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-220SM(W)
แพ็คเกจ / เคส : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB