Infineon Technologies - AUIRF1405ZS-7P

KEY Part #: K6417843

AUIRF1405ZS-7P ราคา (USD) [43031ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$1.19690
  • 50 pcs$1.19095

ส่วนจำนวน:
AUIRF1405ZS-7P
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK-7.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ไทริสเตอร์ - SCRs, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้ and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies AUIRF1405ZS-7P electronic components. AUIRF1405ZS-7P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AUIRF1405ZS-7P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AUIRF1405ZS-7P คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : AUIRF1405ZS-7P
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK-7
ชุด : HEXFET®
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 55V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 120A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 4.9 mOhm @ 88A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 150µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 230nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 5360pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 230W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : D2PAK (7-Lead)
แพ็คเกจ / เคส : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

คุณอาจสนใจด้วย
  • BS107P

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3.

  • IRFR3607TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 75V 56A DPAK.

  • IXTY2N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252.

  • SPA11N65C3XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 11A TO-220.

  • TK8A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS.

  • SPA11N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3.