Diodes Incorporated - DMTH4004SCTB-13

KEY Part #: K6399251

DMTH4004SCTB-13 ราคา (USD) [100348ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.38965
  • 800 pcs$0.33220

ส่วนจำนวน:
DMTH4004SCTB-13
ผู้ผลิต:
Diodes Incorporated
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET BVDSS 31V 40V TO263 TR.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - RF, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ไทริสเตอร์ - TRIACs and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Diodes Incorporated DMTH4004SCTB-13 electronic components. DMTH4004SCTB-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMTH4004SCTB-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMTH4004SCTB-13 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : DMTH4004SCTB-13
ผู้ผลิต : Diodes Incorporated
ลักษณะ : MOSFET BVDSS 31V 40V TO263 TR
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 40V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 100A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 68.6nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 4305pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 4.7W (Ta), 136W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-263AB
แพ็คเกจ / เคส : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

คุณอาจสนใจด้วย
  • VN1206L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 120V 0.23A TO92-3.

  • VN10KN3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3.

  • IRFIBC40GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220FP.

  • R6008FNX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM.

  • IRF3805STRL-7PP

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK-7.

  • IRFS3006TRL7PP

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK7.